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Zu Hause > Produkte > Signalverstärker > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
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INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
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Einzelheiten zum Produkt

Herkunftsort: JIANGSU, CHINA

Markenname: INNOTION

Modellnummer: YP801041T

Zahlungs- und Versandbedingungen

Min Bestellmenge: 10 Stück

Preis: 5.9USD each

Verpackung Informationen: Karton

Lieferzeit: 2-10 Tage

Zahlungsbedingungen: T/T

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100.000 Stück/Monat

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Einzelheiten zum Produkt

Beschreibung des Produkts
Hervorheben:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Produktname:
Leistungsverstärkertransistor
Stromspannung:
28V
Ausgangsleistung:
12W
Frequenz:
DC-9GHz
Montageart:
Standard-Installation
Merkmale:
Leistungsverstärker mit hoher Leistungskapazität
Produktname:
Leistungsverstärkertransistor
Stromspannung:
28V
Ausgangsleistung:
12W
Frequenz:
DC-9GHz
Montageart:
Standard-Installation
Merkmale:
Leistungsverstärker mit hoher Leistungskapazität
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal

Tags:

Funksignalverstärker,

Hochleistungs-Wifi-Booster,

Festkörper-RF-Verstärker

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