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INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Name: INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YP801041T
Price: 5.9 USD
Availability: InStock

製品詳細

起源の場所: 中国江蘇省

ブランド名: INNOTION

モデル番号: YP801041T

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製品名:	パワーアンプ・トランジスタ	電圧:	28V
出力電力:	12W	頻度:	DC-9GHz
取付タイプ:	標準インストール	特徴:	高容量電源増幅器

製品名:	パワーアンプ・トランジスタ
電圧:	28V
出力電力:	12W
頻度:	DC-9GHz
取付タイプ:	標準インストール
特徴:	高容量電源増幅器

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal

Tags:

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