logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
المنتجات
المنتجات
المنزل > المنتجات > مكبر طاقة الإشارة > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: جيانغسو، الصين

اسم العلامة التجارية: INNOTION

رقم الموديل: YP801041T

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 10 قطعة

الأسعار: 5.9USD each

تفاصيل التغليف: كرتون

وقت التسليم: 2-10 أيام

شروط الدفع: تي/تي

القدرة على العرض: 100000 قطعة/شهر

احصل على أفضل سعر
إبراز:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

اسم المنتج:
ترانزستور مضخم الطاقة
الجهد االكهربى:
28 فولت
طاقة الإخراج:
12 واط
تكرار:
تيار مستمر-9 جيجا هرتز
نوع التركيب:
التثبيت القياسي
سمات:
مضخم طاقة عالي السعة
اسم المنتج:
ترانزستور مضخم الطاقة
الجهد االكهربى:
28 فولت
طاقة الإخراج:
12 واط
تكرار:
تيار مستمر-9 جيجا هرتز
نوع التركيب:
التثبيت القياسي
سمات:
مضخم طاقة عالي السعة
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal
منتجات مماثلة