logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Các sản phẩm
Các sản phẩm
Nhà > Các sản phẩm > Bộ khuếch đại công suất tín hiệu > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Chi tiết sản phẩm

Nguồn gốc: GIANG TÔ, TRUNG QUỐC

Hàng hiệu: INNOTION

Số mô hình: YP801041T

Điều khoản thanh toán và vận chuyển

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 10 CÁI

Giá bán: 5.9USD each

chi tiết đóng gói: thùng carton

Thời gian giao hàng: 2-10 ngày

Điều khoản thanh toán: T/T

Khả năng cung cấp: 100000 chiếc / tháng

Nhận được giá tốt nhất
Làm nổi bật:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Tên sản phẩm:
Transistor khuếch đại công suất
Điện áp:
28V
Công suất đầu ra:
12W
Tính thường xuyên:
DC-9GHz
Kiểu lắp:
Cài đặt tiêu chuẩn
Đặc trưng:
Bộ khuếch đại công suất công suất cao
Tên sản phẩm:
Transistor khuếch đại công suất
Điện áp:
28V
Công suất đầu ra:
12W
Tính thường xuyên:
DC-9GHz
Kiểu lắp:
Cài đặt tiêu chuẩn
Đặc trưng:
Bộ khuếch đại công suất công suất cao
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal
Sản phẩm tương tự