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En casa > Productos > Amplificador de potencia de señal > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
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INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
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Detalles del producto

Lugar de origen: JIANGSU, CHINA

Nombre de la marca: INNOTION

Número de modelo: YP801041T

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 10 Uds.

Precio: 5.9USD each

Detalles de empaquetado: caja de cartón

Tiempo de entrega: 2-10 días

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 100000 unidades/mes

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Detalles del producto

Descripción del producto
Resaltar:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Nombre del producto:
Transistor amplificador de potencia
Voltaje:
28V
Potencia de salida:
12W
Frecuencia:
CC-9GHz
Tipo de montaje:
Instalación estándar
Características:
Amplificador de potencia de alta potencia
Nombre del producto:
Transistor amplificador de potencia
Voltaje:
28V
Potencia de salida:
12W
Frecuencia:
CC-9GHz
Tipo de montaje:
Instalación estándar
Características:
Amplificador de potencia de alta potencia
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal

Tags:

amplificador de señal de RF,

refuerzo wifi de alta potencia,

amplificador de RF de estado sólido

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