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INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Name: INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YP801041T
Price: 5.9 USD
Availability: InStock

उत्पाद का विवरण

उत्पत्ति के प्लेस: जियांग्सू, चीन

ब्रांड नाम: INNOTION

मॉडल संख्या: YP801041T

भुगतान और शिपिंग की शर्तें

न्यूनतम आदेश मात्रा: 10PCS

मूल्य: 5.9USD each

पैकेजिंग विवरण: दफ़्ती

प्रसव के समय: 2-10 दिन

भुगतान शर्तें: टी/टी

आपूर्ति की क्षमता: 100000 पीसी/माह

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उत्पाद का विवरण

उत्पाद का वर्णन

प्रमुखता देना: 
                                                                                                                                                                                                                                                28V GaN RF amplifier transistor, 12W 9GHz signal power amplifier, DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz
                              

प्रोडक्ट का नाम:	पावर एम्पलीफायर ट्रांजिस्टर	वोल्टेज:	28वी
बिजली उत्पादन:	12W	आवृत्ति:	डीसी-9GHz
माउन्टिंग का प्रकार:	मानक स्थापित करें	विशेषताएँ:	उच्च शक्ति क्षमता पावर एम्पलीफायर

प्रोडक्ट का नाम:	पावर एम्पलीफायर ट्रांजिस्टर
वोल्टेज:	28वी
बिजली उत्पादन:	12W
आवृत्ति:	डीसी-9GHz
माउन्टिंग का प्रकार:	मानक स्थापित करें
विशेषताएँ:	उच्च शक्ति क्षमता पावर एम्पलीफायर

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal

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