Produk

Rumah > Produk > Penguat daya sinyal > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Kategori

Diode Varaktor

(4)

Kontak

Kontak: Ms. Zhou

Telp: 86-512-67066119

Hubungi Sekarang

Kirimkan surat.

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Name: INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YP801041T
Price: 5.9 USD
Availability: InStock

Rincian produk

Tempat asal: JIANGSU, Tiongkok

Nama merek: INNOTION

Nomor model: YP801041T

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Kuantitas min Order: 10 buah

Harga: 5.9USD each

Kemasan rincian: karton

Waktu pengiriman: 2-10 hari

Syarat-syarat pembayaran: T/T

Menyediakan kemampuan: 100000 buah/bulan

Dapatkan Harga Terbaik

Rincian produk

Deskripsi Produk

Menyoroti: 
                                                                                                                                                                                                                                                28V GaN RF amplifier transistor, 12W 9GHz signal power amplifier, DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz
                              

Nama Produk:	Transistor Penguat Daya	Voltase:	28V
Daya keluaran:	12W	Frekuensi:	DC-9GHz
Tipe Pemasangan:	Pemasangan standar	Fitur:	Penguat Daya Berkapasitas Daya Tinggi

Nama Produk:	Transistor Penguat Daya
Voltase:	28V
Daya keluaran:	12W
Frekuensi:	DC-9GHz
Tipe Pemasangan:	Pemasangan standar
Fitur:	Penguat Daya Berkapasitas Daya Tinggi

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal

Tags:

amplifier sinyal rf,

Modul Jammer Sinyal

PCB pengganggu sinyal

Penguat daya sinyal

penguat sinyal

Osilator Terkendali Tegangan

Dapatkan Blokir

Diode Varaktor

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

28V GaN RF amplifier transistor

12W 9GHz signal power amplifier

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

amplifier sinyal rf,

Wifi booster bertenaga tinggi,

penguat RF solid state

80W 28 V 0.7-6.2GHz Penguat Daya Sinyal Untuk Jaringan LAN Berkabel Dan VDS Biasa

Amplifier Daya Sinyal GaN 100W 5-6GHz 12.3dB untuk Infrastruktur Komunikasi Wireless

Amplifier daya sinyal standar 100W Amplifier daya tinggi untuk 1150-1330MHz

10W 5.8G Professional PA Signal Power Amplifier Wireless Untuk Jaringan Wifi

Perlindungan ESD 8dBm Penguat Daya Sinyal 2.5-7.2GHz Untuk Komponen Elektronik Chip IC

RFint 100% NEW Amplifier Daya Sinyal 8dBm 2.5-7.2GHz RF Wireless Wifi Dengan Buffer

Amplifier RF Efisiensi Tinggi 80W 28V 1.5G untuk rentang frekuensi 2.0-6.2GHz

2.4GHz 40W Tiga Tahap Solid State Power Amplifier RF Antenna Amplifier Untuk Wireless

Fitur Standar 2.4GHz Amplifier Daya Sinyal Modul RF Signal Booster

40W Wireless High Power Linear Amplifier Dengan 1dB Power Flatness untuk 5725-5850MHz

Wired LAN 80W Gain RF Signal Generator Power Amplifier Module PA Untuk 700MHz-6200MHz

Modul Jammer Sinyal

PCB pengganggu sinyal

Penguat daya sinyal

penguat sinyal

Osilator Terkendali Tegangan

Dapatkan Blokir

Diode Varaktor