logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Producten
Producten
Huis > Producten > Signalversterker > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Productgegevens

Plaats van herkomst: JIANGSU, CHINA

Merknaam: INNOTION

Modelnummer: YP801041T

Betalings- en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: 10 STUKS

Prijs: 5.9USD each

Verpakking Details: karton

Levertijd: 2-10 dagen

Betalingscondities: T/T

Levering vermogen: 100000 stuks/maand

Krijg Beste Prijs
Markeren:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Productnaam:
Eindversterkertransistor
Spanning:
28V
Uitgangsvermogen:
12W
Frequentie:
Gelijkstroom-9GHz
Montagetype:
Standaardinstallatie
Functies:
Versterker met een hoge vermogenskapaciteit
Productnaam:
Eindversterkertransistor
Spanning:
28V
Uitgangsvermogen:
12W
Frequentie:
Gelijkstroom-9GHz
Montagetype:
Standaardinstallatie
Functies:
Versterker met een hoge vermogenskapaciteit
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal