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Casa. > Prodotti > Amplificatore di potenza del segnale > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
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INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
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Dettagli del prodotto

Luogo di origine: JIANGSU, CINA

Marca: INNOTION

Numero di modello: YP801041T

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 10 pezzi

Prezzo: 5.9USD each

Imballaggi particolari: cartone

Tempi di consegna: 2-10 giorni

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 100.000 pezzi/mese

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Dettagli del prodotto

Descrizione del prodotto
Evidenziare:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Nome del prodotto:
Transistor dell'amplificatore di potenza
Voltaggio:
28 V
Potenza in uscita:
12 W
Frequenza:
DC-9GHz
Tipo di montaggio:
Installazione standard
Caratteristiche:
Amplificatore di potenza ad alta potenza
Nome del prodotto:
Transistor dell'amplificatore di potenza
Voltaggio:
28 V
Potenza in uscita:
12 W
Frequenza:
DC-9GHz
Tipo di montaggio:
Installazione standard
Caratteristiche:
Amplificatore di potenza ad alta potenza
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal

Tags:

amplificatore del segnale rf,

amplificatore wifi ad alta potenza,

amplificatore RF a stato solido

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