logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Produkty
Produkty
Do domu > Produkty > Wzmacniacz mocy sygnału > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Szczegóły produktu

Miejsce pochodzenia: JIANGSU, CHINY

Nazwa handlowa: INNOTION

Numer modelu: YP801041T

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 10szt

Cena: 5.9USD each

Szczegóły pakowania: karton

Czas dostawy: 2-10 dni

Zasady płatności: T/T

Możliwość Supply: 100 000 sztuk / miesiąc

Najlepszą cenę
Podkreślić:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Nazwa produktu:
Tranzystor wzmacniacza mocy
Woltaż:
28 V
Moc wyjściowa:
12W
Częstotliwość:
DC-9 GHz
Typ mocowania:
Standardowa instalacja
Cechy:
Wzmacniacz mocy o dużej mocy
Nazwa produktu:
Tranzystor wzmacniacza mocy
Woltaż:
28 V
Moc wyjściowa:
12W
Częstotliwość:
DC-9 GHz
Typ mocowania:
Standardowa instalacja
Cechy:
Wzmacniacz mocy o dużej mocy
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal