logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Продукты
Продукты
Домой > Продукты > Усилитель мощности сигнала > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Подробная информация о продукции

Место происхождения: Цзянсу, Китай

Фирменное наименование: INNOTION

Номер модели: YP801041T

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 10 шт.

Цена: 5.9USD each

Упаковывая детали: коробка

Время доставки: 2-10 дней

Условия оплаты: Т/Т

Поставка способности: 100000 шт/месяц

Получите самую лучшую цену
Выделить:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Название продукта:
Транзистор усилителя мощности
Напряжение:
28В
Выходная мощность:
12 Вт
Частота:
DC-9ГГц
Тип монтажа:
Стандартная установка
Функции:
Усилитель мощности с высокой мощностью
Название продукта:
Транзистор усилителя мощности
Напряжение:
28В
Выходная мощность:
12 Вт
Частота:
DC-9ГГц
Тип монтажа:
Стандартная установка
Функции:
Усилитель мощности с высокой мощностью
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal
Аналогичные продукты