logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Ürün
Ürün
Evde > Ürün > Sinyal Gücü Güçlendirici > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Ürün Ayrıntıları

Menşe yeri: JIANGSU, ÇİN

Marka adı: INNOTION

Model numarası: YP801041T

Ödeme ve Nakliye Şartları

Min sipariş miktarı: 10 adet

Fiyat: 5.9USD each

Ambalaj bilgileri: karton

Teslim süresi: 2-10 gün

Ödeme koşulları: T/T

Yetenek temini: 100000 adet/ay

En İyi Fiyatı Alın
Vurgulamak:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Ürün adı:
Güç Amplifikatörü Transistörü
Gerilim:
28V
Çıkış gücü:
12W
Sıklık:
DC-9GHz
Montaj Tipi:
Standart kurulum
Özellikler:
Yüksek Güç Kapasiteli Güç Amplifikatörü
Ürün adı:
Güç Amplifikatörü Transistörü
Gerilim:
28V
Çıkış gücü:
12W
Sıklık:
DC-9GHz
Montaj Tipi:
Standart kurulum
Özellikler:
Yüksek Güç Kapasiteli Güç Amplifikatörü
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal