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INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
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Détails du produit

Lieu d'origine: Jiangsu, Chine

Nom de marque: INNOTION

Numéro de modèle: YP801041T

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 10 pièces

Prix: 5.9USD each

Détails d'emballage: carton

Délai de livraison: 2-10 jours

Conditions de paiement: T/T

Capacité d'approvisionnement: 100000 pièces/mois

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Détails du produit

Description du produit
Mettre en évidence:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Nom du produit:
Transistor d'amplificateur de puissance
Tension:
28V
Puissance de sortie:
12W
Fréquence:
DC-9 GHz
Type de montage:
Installation par défaut
Caractéristiques:
Amplificateur de puissance à haute puissance
Nom du produit:
Transistor d'amplificateur de puissance
Tension:
28V
Puissance de sortie:
12W
Fréquence:
DC-9 GHz
Type de montage:
Installation par défaut
Caractéristiques:
Amplificateur de puissance à haute puissance
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal

Tags:

amplificateur de signal RF,

amplificateur Wi-Fi haute puissance,

amplificateur RF à l'état solide

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