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제품 세부 정보

원래 장소: 중국 장쑤성

브랜드 이름: INNOTION

모델 번호: YP801041T

지불 및 배송 조건

최소 주문 수량: 10PCS

가격: 5.9USD each

포장 세부 사항: 판지 상자

배달 시간: 2~10일

지불 조건: 티/티

공급 능력: 100000pcs/월

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제품 세부 정보

제품 설명
강조하다:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

제품명:
전력 증폭기 트랜지스터
전압:
28V
출력 전력:
12W
빈도:
DC-9GHz
장착 유형:
표준 설치
특징:
고전력 용량 전력 증폭기
제품명:
전력 증폭기 트랜지스터
전압:
28V
출력 전력:
12W
빈도:
DC-9GHz
장착 유형:
표준 설치
특징:
고전력 용량 전력 증폭기
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal

Tags:

rf 신호 증폭기,

고전력 와이파이 부스터,

고체 RF 증폭기

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