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Para casa > Produtos > Amplificador de potência de sinal > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
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INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
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Detalhes do produto

Lugar de origem: JIANGSU, CHINA

Marca: INNOTION

Número do modelo: YP801041T

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 10 unidades

Preço: 5.9USD each

Detalhes da embalagem: caixa

Tempo de entrega: 2-10 dias

Termos de pagamento: T/T

Habilidade da fonte: 100.000 unidades/mês

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Nome do produto:
Transistor amplificador de potência
Tensão:
28 V
Potência de saída:
12W
Freqüência:
DC-9GHz
Tipo de montagem:
Instalação padrão
Características:
Amplificador de potência de alta potência
Nome do produto:
Transistor amplificador de potência
Tensão:
28 V
Potência de saída:
12W
Freqüência:
DC-9GHz
Tipo de montagem:
Instalação padrão
Características:
Amplificador de potência de alta potência
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal

Tags:

Amplificador de sinal rf,

Reforçador Wi-Fi de alta potência,

Amplificador de rádio de estado sólido

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