logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
পণ্য
পণ্য
বাড়ি > পণ্য > সিগন্যাল পাওয়ার এম্প্লিফায়ার > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

পণ্যের বিবরণ

উৎপত্তি স্থল: জিয়াংসু, চীন

পরিচিতিমুলক নাম: INNOTION

মডেল নম্বার: YP801041T

পেমেন্ট ও শিপিংয়ের শর্তাবলী

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: 10PCS

মূল্য: 5.9USD each

প্যাকেজিং বিবরণ: শক্ত কাগজ

ডেলিভারি সময়: 2-10 দিন

পরিশোধের শর্ত: টি/টি

যোগানের ক্ষমতা: 100000pcs/মাস

সেরা দাম পান
বিশেষভাবে তুলে ধরা:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

পণ্যের নাম:
পাওয়ার এমপ্লিফায়ার ট্রানজিস্টর
ভোল্টেজ:
28V
আউটপুট শক্তি:
12W
ফ্রিকোয়েন্সি:
DC-9GHz
মাউন্ট টাইপ:
স্ট্যান্ডার্ড ইনস্টল
বৈশিষ্ট্য:
উচ্চ ক্ষমতা ক্ষমতা ক্ষমতা পরিবর্ধক
পণ্যের নাম:
পাওয়ার এমপ্লিফায়ার ট্রানজিস্টর
ভোল্টেজ:
28V
আউটপুট শক্তি:
12W
ফ্রিকোয়েন্সি:
DC-9GHz
মাউন্ট টাইপ:
স্ট্যান্ডার্ড ইনস্টল
বৈশিষ্ট্য:
উচ্চ ক্ষমতা ক্ষমতা ক্ষমতা পরিবর্ধক
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal
অনুরূপ পণ্য