logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Προϊόντα
Προϊόντα
Σπίτι > Προϊόντα > Ενισχυτής ισχύος σήματος > INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Τόπος καταγωγής: ΤΖΙΑΝΓΚΣΟΥ, ΚΙΝΑ

Μάρκα: INNOTION

Αριθμό μοντέλου: ΥΠ801041Τ

Όροι πληρωμής και αποστολής

Ποσότητα παραγγελίας min: 10 ΤΕΜ

Τιμή: 5.9USD each

Συσκευασία λεπτομέρειες: χαρτοκιβώτιο

Χρόνος παράδοσης: 2-10 ημέρες

Όροι πληρωμής: T/T

Δυνατότητα προσφοράς: 100000 τμχ/μήνα

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:

28V GaN RF amplifier transistor

,

12W 9GHz signal power amplifier

,

DC-9GHz GaN amplifier up to 9000MHz

Όνομα προϊόντος:
Τρανζίστορ ενισχυτή ισχύος
Δυναμικό:
28V
Ισχύς εξόδου:
12W
Συχνότητα:
DC-9GHz
Τύπος τοποθέτησης:
Τυπική εγκατάσταση
Χαρακτηριστικά:
Δυναμικός ενισχυτής υψηλής ισχύος
Όνομα προϊόντος:
Τρανζίστορ ενισχυτή ισχύος
Δυναμικό:
28V
Ισχύς εξόδου:
12W
Συχνότητα:
DC-9GHz
Τύπος τοποθέτησης:
Τυπική εγκατάσταση
Χαρακτηριστικά:
Δυναμικός ενισχυτής υψηλής ισχύος
INNOTION High Efficiency 28V DC-9GHz 12W GaN RF Amplifier Transistor up to 9000MHz
Product Overview Innotion's YP801041T is a 12-watt, unmatched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities, with frequency up to 9000 MHz. The transistor is supplied in a plastic DFN-8L 4 mm × 4 mm package. Key Features High efficiency and linear gain operation Negative gate voltage and bias sequencing required Excellent thermal stability and excellent ruggedness Metal
Παρόμοια προϊόντα