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INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Einzelheiten zum Produkt

Herkunftsort: JIANGSU, CHINA

Markenname: INNOTION

Modellnummer: YPM60800860M

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Preis: 120USD each

Verpackung Informationen: Karton

Lieferzeit: 2-7 Werktage

Zahlungsbedingungen: T/T

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 10000 Stück/Monat

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Hervorheben:
Produktname:
HF-Verstärker
Leistung:
60W
Frequenzbereich:
6000-8000MHz
Stromversorgung:
28V
Charakter:
Hohe Effizienz
Aktuell:
250mA
Produktname:
HF-Verstärker
Leistung:
60W
Frequenzbereich:
6000-8000MHz
Stromversorgung:
28V
Charakter:
Hohe Effizienz
Aktuell:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω