logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Продукты
Продукты
Домой > Продукты > Усилитель мощности сигнала > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Подробная информация о продукции

Место происхождения: Цзянсу, Китай

Фирменное наименование: INNOTION

Номер модели: ЯПМ60800860М

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 1 шт.

Цена: 120USD each

Упаковывая детали: коробка

Время доставки: 2-7 рабочих дней

Условия оплаты: Т/Т

Поставка способности: 10000 шт/месяц

Получите самую лучшую цену
Выделить:
Название продукта:
РЧ-усилитель
Власть:
60 Вт
Диапазон частот:
6000-8000 МГц
Источник питания:
28В
Характер:
Высокая эффективность
Текущий:
250 мА
Название продукта:
РЧ-усилитель
Власть:
60 Вт
Диапазон частот:
6000-8000 МГц
Источник питания:
28В
Характер:
Высокая эффективность
Текущий:
250 мА
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω
Аналогичные продукты