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En casa > Productos > Amplificador de potencia de señal > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
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INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
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Detalles del producto

Lugar de origen: JIANGSU, CHINA

Nombre de la marca: INNOTION

Número de modelo: YPM60800860M

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1 pieza

Precio: 120USD each

Detalles de empaquetado: caja de cartón

Tiempo de entrega: 2-7 días laborables

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 10000 unidades/mes

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción del producto
Resaltar:
Nombre del producto:
amplificador de radiofrecuencia
Fuerza:
60W
Rango de frecuencia:
6000-8000MHz
Fuente de alimentación:
28V
Personaje:
Alta eficiencia
Actual:
250mA
Nombre del producto:
amplificador de radiofrecuencia
Fuerza:
60W
Rango de frecuencia:
6000-8000MHz
Fuente de alimentación:
28V
Personaje:
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Actual:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω

Tags:

amplificador de señal de RF,

refuerzo wifi de alta potencia,

amplificador de RF de estado sólido

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