logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Producten
Producten
Huis > Producten > Signalversterker > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Productgegevens

Plaats van herkomst: JIANGSU, CHINA

Merknaam: INNOTION

Modelnummer: YPM60800860M

Betalings- en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: 1 stuk

Prijs: 120USD each

Verpakking Details: karton

Levertijd: 2-7 werkdagen

Betalingscondities: T/T

Levering vermogen: 10000 stks/maand

Krijg Beste Prijs
Markeren:
Productnaam:
RF-versterker
Stroom:
60W
Frequentiebereik:
6000-8000 MHz
Voeding:
28V
Karakter:
Hoge efficiëntie
Huidig:
250mA
Productnaam:
RF-versterker
Stroom:
60W
Frequentiebereik:
6000-8000 MHz
Voeding:
28V
Karakter:
Hoge efficiëntie
Huidig:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω