logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
المنتجات
المنتجات
المنزل > المنتجات > مكبر طاقة الإشارة > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: جيانغسو، الصين

اسم العلامة التجارية: INNOTION

رقم الموديل: YPM60800860M

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 1 قطعة

الأسعار: 120USD each

تفاصيل التغليف: كرتون

وقت التسليم: 2-7 أيام عمل

شروط الدفع: تي/تي

القدرة على العرض: 10000 قطعة/شهر

احصل على أفضل سعر
إبراز:
اسم المنتج:
مضخم الترددات اللاسلكية
قوة:
60 واط
نطاق التردد:
6000-8000MHz
مزود الطاقة:
28 فولت
شخصية:
كفاءة عالية
حاضِر:
250 مللي أمبير
اسم المنتج:
مضخم الترددات اللاسلكية
قوة:
60 واط
نطاق التردد:
6000-8000MHz
مزود الطاقة:
28 فولت
شخصية:
كفاءة عالية
حاضِر:
250 مللي أمبير
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω
منتجات مماثلة