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INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Name: INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM60800860M
Price: 120 USD
Availability: InStock

製品詳細

起源の場所: 中国江蘇省

ブランド名: INNOTION

モデル番号: YPM60800860M

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最小注文数量: 1個

価格: 120USD each

パッケージの詳細: カートン

受渡し時間: 2～7営業日

支払条件: T/T

供給の能力: 10000個/月

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製品説明

ハイライト:

製品名:	RFアンプ	力:	60W
周波数範囲:	6000-8000MHz	電源:	28V
キャラクター:	高効率	現在:	250mA

製品名:	RFアンプ
力:	60W
周波数範囲:	6000-8000MHz
電源:	28V
キャラクター:	高効率
現在:	250mA

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω

Tags:

rf信号増幅器,

シグナルジャマーモジュール

信号妨害装置 PCB

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電圧制御オシレーター

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