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Casa. > Prodotti > Amplificatore di potenza del segnale > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
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INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
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Dettagli del prodotto

Luogo di origine: JIANGSU, CINA

Marca: INNOTION

Numero di modello: YPM60800860M

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 1 pezzo

Prezzo: 120USD each

Imballaggi particolari: cartone

Tempi di consegna: 2-7 giorni lavorativi

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 10000 pezzi/mese

Ottenga il migliore prezzo

Dettagli del prodotto

Descrizione del prodotto
Evidenziare:
Nome del prodotto:
Amplificatore RF
Energia:
60 W
Gamma di frequenza:
6000-8000MHz
Alimentazione elettrica:
28 V
Carattere:
Alta efficienza
Attuale:
250 mA
Nome del prodotto:
Amplificatore RF
Energia:
60 W
Gamma di frequenza:
6000-8000MHz
Alimentazione elettrica:
28 V
Carattere:
Alta efficienza
Attuale:
250 mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω

Tags:

amplificatore del segnale rf,

amplificatore wifi ad alta potenza,

amplificatore RF a stato solido

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