logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Produkty
Produkty
Do domu > Produkty > Wzmacniacz mocy sygnału > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Szczegóły produktu

Miejsce pochodzenia: JIANGSU, CHINY

Nazwa handlowa: INNOTION

Numer modelu: YPM60800860M

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 1 sztuka

Cena: 120USD each

Szczegóły pakowania: karton

Czas dostawy: 2-7 dni roboczych

Zasady płatności: T/T

Możliwość Supply: 10000 sztuk/miesiąc

Najlepszą cenę
Podkreślić:
Nazwa produktu:
Wzmacniacz RF
Moc:
60 W
Zakres częstotliwości:
6000-8000 MHz
Zasilanie:
28 V
Charakter:
Wysoka wydajność
Aktualny:
250mA
Nazwa produktu:
Wzmacniacz RF
Moc:
60 W
Zakres częstotliwości:
6000-8000 MHz
Zasilanie:
28 V
Charakter:
Wysoka wydajność
Aktualny:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω