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INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Name: INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM60800860M
Price: 120 USD
Availability: InStock

제품 세부 정보

원래 장소: 중국 장쑤성

브랜드 이름: INNOTION

모델 번호: YPM60800860M

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최소 주문 수량: 1개 조각

가격: 120USD each

포장 세부 사항: 판지 상자

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제품 세부 정보

제품 설명

강조하다:

제품명:	RF 증폭기	힘:	60W
주파수 범위:	6000-8000MHz	전원공급장치:	28V
성격:	고효율	현재의:	250mA

제품명:	RF 증폭기
힘:	60W
주파수 범위:	6000-8000MHz
전원공급장치:	28V
성격:	고효율
현재의:	250mA

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω

Tags:

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