logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Προϊόντα
Προϊόντα
Σπίτι > Προϊόντα > Ενισχυτής ισχύος σήματος > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Τόπος καταγωγής: ΤΖΙΑΝΓΚΣΟΥ, ΚΙΝΑ

Μάρκα: INNOTION

Αριθμό μοντέλου: YPM60800860M

Όροι πληρωμής και αποστολής

Ποσότητα παραγγελίας min: 1 Τεμάχιο

Τιμή: 120USD each

Συσκευασία λεπτομέρειες: χαρτοκιβώτιο

Χρόνος παράδοσης: 2-7 εργάσιμες

Όροι πληρωμής: T/T

Δυνατότητα προσφοράς: 10000 τμχ/μήνα

Πάρτε την καλύτερη τιμή
Επισημαίνω:
Όνομα προϊόντος:
Ενισχυτής RF
Εξουσία:
60W
Εύρος συχνοτήτων:
6000-8000MHz
Τροφοδοτικό:
28V
Χαρακτήρας:
Υψηλή απόδοση
Ρεύμα:
250 mA
Όνομα προϊόντος:
Ενισχυτής RF
Εξουσία:
60W
Εύρος συχνοτήτων:
6000-8000MHz
Τροφοδοτικό:
28V
Χαρακτήρας:
Υψηλή απόδοση
Ρεύμα:
250 mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω
Παρόμοια προϊόντα