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Para casa > Produtos > Amplificador de potência de sinal > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
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INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
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Detalhes do produto

Lugar de origem: JIANGSU, CHINA

Marca: INNOTION

Número do modelo: YPM60800860M

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 1 peça

Preço: 120USD each

Detalhes da embalagem: caixa

Tempo de entrega: 2 a 7 dias úteis

Termos de pagamento: T/T

Habilidade da fonte: 10.000 unidades/mês

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:
Nome do produto:
Amplificador de RF
Poder:
60W
Faixa de frequência:
6000-8000MHz
Fonte de energia:
28 V
Personagem:
Alta eficiência
Atual:
250mA
Nome do produto:
Amplificador de RF
Poder:
60W
Faixa de frequência:
6000-8000MHz
Fonte de energia:
28 V
Personagem:
Alta eficiência
Atual:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω

Tags:

Amplificador de sinal rf,

Reforçador Wi-Fi de alta potência,

Amplificador de rádio de estado sólido

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