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À la maison > Produits > Amplificateur de puissance du signal > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
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INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
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Détails du produit

Lieu d'origine: Jiangsu, Chine

Nom de marque: INNOTION

Numéro de modèle: YPM60800860M

Conditions de paiement et d'expédition

Quantité de commande min: 1 pièce

Prix: 120USD each

Détails d'emballage: carton

Délai de livraison: 2-7 jours ouvrables

Conditions de paiement: T/T

Capacité d'approvisionnement: 10000 pièces/mois

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Détails du produit

Description du produit
Mettre en évidence:
Nom du produit:
Amplificateur RF
Pouvoir:
60W
Gamme de fréquence:
6000-8000 MHz
Alimentation:
28V
Personnage:
Haute efficacité
Actuel:
250mA
Nom du produit:
Amplificateur RF
Pouvoir:
60W
Gamme de fréquence:
6000-8000 MHz
Alimentation:
28V
Personnage:
Haute efficacité
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250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω

Tags:

amplificateur de signal RF,

amplificateur Wi-Fi haute puissance,

amplificateur RF à l'état solide

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