logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
পণ্য
পণ্য
বাড়ি > পণ্য > সিগন্যাল পাওয়ার এম্প্লিফায়ার > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

পণ্যের বিবরণ

উৎপত্তি স্থল: জিয়াংসু, চীন

পরিচিতিমুলক নাম: INNOTION

মডেল নম্বার: YPM60800860M

পেমেন্ট ও শিপিংয়ের শর্তাবলী

ন্যূনতম চাহিদার পরিমাণ: 1 পিস

মূল্য: 120USD each

প্যাকেজিং বিবরণ: শক্ত কাগজ

ডেলিভারি সময়: 2-7 কাজের দিন

পরিশোধের শর্ত: টি/টি

যোগানের ক্ষমতা: 10000 পিসি/মাস

সেরা দাম পান
বিশেষভাবে তুলে ধরা:
পণ্যের নাম:
আরএফ এমপ্লিফায়ার
শক্তি:
60W
ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা:
6000-8000MHz
পাওয়ার সাপ্লাই:
28V
চরিত্র:
উচ্চ দক্ষতা
কারেন্ট:
250mA
পণ্যের নাম:
আরএফ এমপ্লিফায়ার
শক্তি:
60W
ফ্রিকোয়েন্সি পরিসীমা:
6000-8000MHz
পাওয়ার সাপ্লাই:
28V
চরিত্র:
উচ্চ দক্ষতা
কারেন্ট:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω
অনুরূপ পণ্য