logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Các sản phẩm
Các sản phẩm
Nhà > Các sản phẩm > Bộ khuếch đại công suất tín hiệu > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Chi tiết sản phẩm

Nguồn gốc: GIANG TÔ, TRUNG QUỐC

Hàng hiệu: INNOTION

Số mô hình: YPM60800860M

Điều khoản thanh toán và vận chuyển

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1 mảnh

Giá bán: 120USD each

chi tiết đóng gói: thùng carton

Thời gian giao hàng: 2-7 ngày làm việc

Điều khoản thanh toán: T/T

Khả năng cung cấp: 10000 chiếc / tháng

Nhận được giá tốt nhất
Làm nổi bật:
Tên sản phẩm:
Bộ khuếch đại RF
Quyền lực:
60W
Dải tần số:
6000-8000MHz
Nguồn điện:
28V
Tính cách:
Hiệu quả cao
Hiện hành:
250mA
Tên sản phẩm:
Bộ khuếch đại RF
Quyền lực:
60W
Dải tần số:
6000-8000MHz
Nguồn điện:
28V
Tính cách:
Hiệu quả cao
Hiện hành:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω
Sản phẩm tương tự