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INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

उत्पाद का विवरण

उत्पत्ति के प्लेस: जियांग्सू, चीन

ब्रांड नाम: INNOTION

मॉडल संख्या: YPM60800860M

भुगतान और शिपिंग की शर्तें

न्यूनतम आदेश मात्रा: 1 टुकड़ा

मूल्य: 120USD each

पैकेजिंग विवरण: दफ़्ती

प्रसव के समय: 2-7 कार्य दिवस

भुगतान शर्तें: टी/टी

आपूर्ति की क्षमता: 10000 पीसी/माह

सबसे अच्छी कीमत पाएं
प्रमुखता देना:
प्रोडक्ट का नाम:
आरएफ एम्पलीफायर
शक्ति:
60W
आवृति सीमा:
6000-8000MHz
बिजली की आपूर्ति:
28वी
चरित्र:
उच्च दक्षता
मौजूदा:
250mA
प्रोडक्ट का नाम:
आरएफ एम्पलीफायर
शक्ति:
60W
आवृति सीमा:
6000-8000MHz
बिजली की आपूर्ति:
28वी
चरित्र:
उच्च दक्षता
मौजूदा:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω
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