logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Produk
Produk
Rumah > Produk > Penguat daya sinyal > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Rincian produk

Tempat asal: JIANGSU, Tiongkok

Nama merek: INNOTION

Nomor model: YPM60800860M

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Kuantitas min Order: 1 buah

Harga: 120USD each

Kemasan rincian: karton

Waktu pengiriman: 2-7 hari kerja

Syarat-syarat pembayaran: T/T

Menyediakan kemampuan: 10000 buah/bulan

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:
Nama Produk:
Penguat RF
Kekuatan:
60W
Rentang frekuensi:
6000-8000MHz
Catu Daya:
28V
Karakter:
Efisiensi Tinggi
Saat ini:
250mA
Nama Produk:
Penguat RF
Kekuatan:
60W
Rentang frekuensi:
6000-8000MHz
Catu Daya:
28V
Karakter:
Efisiensi Tinggi
Saat ini:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω