logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Ürün
Ürün
Evde > Ürün > Sinyal Gücü Güçlendirici > INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz

Ürün Ayrıntıları

Menşe yeri: JIANGSU, ÇİN

Marka adı: INNOTION

Model numarası: YPM60800860M

Ödeme ve Nakliye Şartları

Min sipariş miktarı: 1 Adet

Fiyat: 120USD each

Ambalaj bilgileri: karton

Teslim süresi: 2-7 iş günü

Ödeme koşulları: T/T

Yetenek temini: 10000 adet/ay

En İyi Fiyatı Alın
Vurgulamak:
Ürün adı:
RF Amplifikatörü
Güç:
60W
Frekans aralığı:
6000-8000MHz
Güç Kaynağı:
28V
Karakter:
Yüksek Verimlilik
Akım:
250mA
Ürün adı:
RF Amplifikatörü
Güç:
60W
Frekans aralığı:
6000-8000MHz
Güç Kaynağı:
28V
Karakter:
Yüksek Verimlilik
Akım:
250mA
INNOTION 60W 6-8GHz GaN 28V 60W Power Amplifier High Electron Mobility Transistor for 5500-8600MHz
60W 6-8GHz 50Ω-match GaN 28V 60W Power Amplifier GaN High Electron Mobility Transistor Product Overview YPM60800860M is a 60-watt, 50 Ω-matched gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT) designed specifically with high efficiency, high gain and wide bandwidth capabilities. This makes the YPM60800860M ideal for multiple applications with frequency from 6000MHz to 8000MHz. High efficiency design High gain performance Wide bandwidth capabilities 50 Ω