logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Các sản phẩm
Các sản phẩm
Nhà > Các sản phẩm > Bộ khuếch đại công suất tín hiệu > High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Chi tiết sản phẩm

Nguồn gốc: GIANG TÔ, TRUNG QUỐC

Hàng hiệu: INNOTION

Số mô hình: YPM206208100M

Điều khoản thanh toán và vận chuyển

Số lượng đặt hàng tối thiểu: 1 mảnh

Giá bán: 619USD each

chi tiết đóng gói: thùng carton

Thời gian giao hàng: 2-10 ngày

Điều khoản thanh toán: T/T

Khả năng cung cấp: 10000 chiếc / tháng

Nhận được giá tốt nhất
Làm nổi bật:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

Ứng dụng:
2.0-6.2GHz
Kiểu:
bộ khuếch đại công suất RF
Loạt:
PA
Đặc trưng:
Hiệu quả cao
Kiểu lắp:
Gắn trực tiếp
Sự miêu tả:
Độ ổn định cao và khả năng băng thông rộng
Mã ngày sản xuất:
KHÁC
Tên sản phẩm:
Bộ khuếch đại công suất
Công suất đầu ra:
100W
Chức năng:
Bộ mở rộng tín hiệu
Tính thường xuyên:
2.0-6.2GHz
Ứng dụng:
2.0-6.2GHz
Kiểu:
bộ khuếch đại công suất RF
Loạt:
PA
Đặc trưng:
Hiệu quả cao
Kiểu lắp:
Gắn trực tiếp
Sự miêu tả:
Độ ổn định cao và khả năng băng thông rộng
Mã ngày sản xuất:
KHÁC
Tên sản phẩm:
Bộ khuếch đại công suất
Công suất đầu ra:
100W
Chức năng:
Bộ mở rộng tín hiệu
Tính thường xuyên:
2.0-6.2GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias
Sản phẩm tương tự