logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Producten
Producten
Huis > Producten > Signalversterker > High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Productgegevens

Plaats van herkomst: JIANGSU, CHINA

Merknaam: INNOTION

Modelnummer: YPM206208100M

Betalings- en verzendvoorwaarden

Min. bestelaantal: 1 stuk

Prijs: 619USD each

Verpakking Details: karton

Levertijd: 2-10 dagen

Betalingscondities: T/T

Levering vermogen: 10000 stks/maand

Krijg Beste Prijs
Markeren:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

Sollicitatie:
2.0-6.2 GHz
Type:
rf-machtsversterker
Serie:
PA
Functies:
Hoge efficiëntie
Montagetype:
Directe montage
Beschrijving:
Hoge stabiliteit en grote bandbreedte mogelijkheden
Productiedatumcode:
ander
Productnaam:
Machtsversterker
Uitgangsvermogen:
100W
Functie:
Signaal Verlenger
Frequentie:
2.0-6.2 GHz
Sollicitatie:
2.0-6.2 GHz
Type:
rf-machtsversterker
Serie:
PA
Functies:
Hoge efficiëntie
Montagetype:
Directe montage
Beschrijving:
Hoge stabiliteit en grote bandbreedte mogelijkheden
Productiedatumcode:
ander
Productnaam:
Machtsversterker
Uitgangsvermogen:
100W
Functie:
Signaal Verlenger
Frequentie:
2.0-6.2 GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias