Προϊόντα

Σπίτι > Προϊόντα > Ενισχυτής ισχύος σήματος > High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Κατηγορίες

Δίοδος διαμετρητή

(4)

Επαφές

Επαφές: Ms. Zhou

Τηλεφώνημα: 86-512-67066119

Επικοινωνήστε τώρα

Στείλε μας ένα μήνυμα.

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Name: High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: ΥPM206208100M
Price: 619 USD
Availability: InStock

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Τόπος καταγωγής: ΤΖΙΑΝΓΚΣΟΥ, ΚΙΝΑ

Μάρκα: INNOTION

Αριθμό μοντέλου: ΥPM206208100M

Όροι πληρωμής και αποστολής

Ποσότητα παραγγελίας min: 1 Τεμάχιο

Τιμή: 619USD each

Συσκευασία λεπτομέρειες: χαρτοκιβώτιο

Χρόνος παράδοσης: 2-10 ημέρες

Όροι πληρωμής: T/T

Δυνατότητα προσφοράς: 10000 τμχ/μήνα

Πάρτε την καλύτερη τιμή

Λεπτομέρειες για το προϊόν

Περιγραφή του προϊόντος

Επισημαίνω: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                100W GaN RF Power Amplifier, 2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier, RF Amplifier Thermal Stability
                              

Εφαρμογή:	2.0-6.2GHz	Τύπος:	ενισχυτής δύναμης RF
Σειρά:	PA	Χαρακτηριστικά:	Υψηλή απόδοση
Τύπος τοποθέτησης:	Άμεση τοποθέτηση	Περιγραφή:	Υψηλή σταθερότητα και δυνατότητες ευρείας ζώνης
Κωδικός ημερομηνίας κατασκευής:	άλλος	Όνομα προϊόντος:	Ενισχυτής δύναμης
Ισχύς εξόδου:	100W	Λειτουργία:	Επέκταση σήματος
Συχνότητα:	2.0-6.2GHz

Εφαρμογή:	2.0-6.2GHz
Τύπος:	ενισχυτής δύναμης RF
Σειρά:	PA
Χαρακτηριστικά:	Υψηλή απόδοση
Τύπος τοποθέτησης:	Άμεση τοποθέτηση
Περιγραφή:	Υψηλή σταθερότητα και δυνατότητες ευρείας ζώνης
Κωδικός ημερομηνίας κατασκευής:	άλλος
Όνομα προϊόντος:	Ενισχυτής δύναμης
Ισχύς εξόδου:	100W
Λειτουργία:	Επέκταση σήματος
Συχνότητα:	2.0-6.2GHz

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias

Tags: