logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Продукты
Продукты
Домой > Продукты > Усилитель мощности сигнала > High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Подробная информация о продукции

Место происхождения: Цзянсу, Китай

Фирменное наименование: INNOTION

Номер модели: YPM206208100M

Условия оплаты и доставки

Количество мин заказа: 1 шт.

Цена: 619USD each

Упаковывая детали: коробка

Время доставки: 2-10 дней

Условия оплаты: Т/Т

Поставка способности: 10000 шт/месяц

Получите самую лучшую цену
Выделить:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

Приложение:
20,0-6,2 ГГц
Тип:
усилитель силы rf
Ряд:
Пенсильвания
Функции:
Высокая эффективность
Тип монтажа:
Прямое крепление
Описание:
Высокая стабильность и широкая пропускная способность
Код даты изготовления:
другой
Название продукта:
Усилитель силы
Выходная мощность:
100 Вт
Функция:
Удлинитель сигнала
Частота:
20,0-6,2 ГГц
Приложение:
20,0-6,2 ГГц
Тип:
усилитель силы rf
Ряд:
Пенсильвания
Функции:
Высокая эффективность
Тип монтажа:
Прямое крепление
Описание:
Высокая стабильность и широкая пропускная способность
Код даты изготовления:
другой
Название продукта:
Усилитель силы
Выходная мощность:
100 Вт
Функция:
Удлинитель сигнала
Частота:
20,0-6,2 ГГц
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias
Аналогичные продукты