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High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

उत्पाद का विवरण

उत्पत्ति के प्लेस: जियांग्सू, चीन

ब्रांड नाम: INNOTION

मॉडल संख्या: YPM206208100M

भुगतान और शिपिंग की शर्तें

न्यूनतम आदेश मात्रा: 1 टुकड़ा

मूल्य: 619USD each

पैकेजिंग विवरण: दफ़्ती

प्रसव के समय: 2-10 दिन

भुगतान शर्तें: टी/टी

आपूर्ति की क्षमता: 10000 पीसी/माह

सबसे अच्छी कीमत पाएं
प्रमुखता देना:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

आवेदन:
2.0-6.2GHz
प्रकार:
आरएफ पावर एम्पलीफायर
शृंखला:
देहात
विशेषताएँ:
उच्च दक्षता
माउन्टिंग का प्रकार:
सीधा माउंट
विवरण:
उच्च स्थिरता और विस्तृत बैंडविड्थ क्षमताएं
विनिर्माण दिनांक कोड:
अन्य
प्रोडक्ट का नाम:
शक्ति एम्पलीफायर
बिजली उत्पादन:
100W
समारोह:
सिग्नल एक्सटेंडर
आवृत्ति:
2.0-6.2GHz
आवेदन:
2.0-6.2GHz
प्रकार:
आरएफ पावर एम्पलीफायर
शृंखला:
देहात
विशेषताएँ:
उच्च दक्षता
माउन्टिंग का प्रकार:
सीधा माउंट
विवरण:
उच्च स्थिरता और विस्तृत बैंडविड्थ क्षमताएं
विनिर्माण दिनांक कोड:
अन्य
प्रोडक्ट का नाम:
शक्ति एम्पलीफायर
बिजली उत्पादन:
100W
समारोह:
सिग्नल एक्सटेंडर
आवृत्ति:
2.0-6.2GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias
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