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High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Name: High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM206208100M
Price: 619 USD
Availability: InStock

제품 세부 정보

원래 장소: 중국 장쑤성

브랜드 이름: INNOTION

모델 번호: YPM206208100M

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최소 주문 수량: 1개 조각

가격: 619USD each

포장 세부 사항: 판지 상자

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제품 설명

강조하다: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                100W GaN RF Power Amplifier, 2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier, RF Amplifier Thermal Stability
                              

애플리케이션:	2.0-6.2GHz	유형:	RF 전력 증폭기
시리즈:	아빠	특징:	고효율
장착 유형:	직접 마운트	설명:	높은 안정성과 넓은 대역폭 기능
제조 날짜 코드:	다른	제품명:	전력 증폭기
출력 전력:	100W	기능:	신호 익스텐더
빈도:	2.0-6.2GHz

애플리케이션:	2.0-6.2GHz
유형:	RF 전력 증폭기
시리즈:	아빠
특징:	고효율
장착 유형:	직접 마운트
설명:	높은 안정성과 넓은 대역폭 기능
제조 날짜 코드:	다른
제품명:	전력 증폭기
출력 전력:	100W
기능:	신호 익스텐더
빈도:	2.0-6.2GHz

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias

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