المنتجات

المنزل > المنتجات > مكبر طاقة الإشارة > High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

الفئات

الديود المتغير

(4)

الاتصالات

الاتصالات: Ms. Zhou

الهاتف: 86-512-67066119

اتصل الآن

أرسل لنا

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Name: High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM206208100M
Price: 619 USD
Availability: InStock

تفاصيل المنتج

مكان المنشأ: جيانغسو، الصين

اسم العلامة التجارية: INNOTION

رقم الموديل: YPM206208100M

شروط الدفع والشحن

الحد الأدنى لكمية: 1 قطعة

الأسعار: 619USD each

تفاصيل التغليف: كرتون

وقت التسليم: 2-10 أيام

شروط الدفع: تي/تي

القدرة على العرض: 10000 قطعة/شهر

احصل على أفضل سعر

تفاصيل المنتج

وصف المنتج

إبراز: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                100W GaN RF Power Amplifier, 2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier, RF Amplifier Thermal Stability
                              

طلب:	2.0-6.2 جيجا هرتز	يكتب:	مضخم طاقة RF
مسلسل:	السلطة الفلسطينية	سمات:	كفاءة عالية
نوع التركيب:	جبل مباشر	وصف:	استقرار عالي وقدرات عرض النطاق الترددي الواسع
كود تاريخ التصنيع:	آخر	اسم المنتج:	مضخم الطاقة
طاقة الإخراج:	100 واط	وظيفة:	موسع الإشارة
تكرار:	2.0-6.2 جيجا هرتز

طلب:	2.0-6.2 جيجا هرتز
يكتب:	مضخم طاقة RF
مسلسل:	السلطة الفلسطينية
سمات:	كفاءة عالية
نوع التركيب:	جبل مباشر
وصف:	استقرار عالي وقدرات عرض النطاق الترددي الواسع
كود تاريخ التصنيع:	آخر
اسم المنتج:	مضخم الطاقة
طاقة الإخراج:	100 واط
وظيفة:	موسع الإشارة
تكرار:	2.0-6.2 جيجا هرتز

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias

Tags: