logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Produkty
Produkty
Do domu > Produkty > Wzmacniacz mocy sygnału > High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Szczegóły produktu

Miejsce pochodzenia: JIANGSU, CHINY

Nazwa handlowa: INNOTION

Numer modelu: YPM206208100M

Warunki płatności i wysyłki

Minimalne zamówienie: 1 sztuka

Cena: 619USD each

Szczegóły pakowania: karton

Czas dostawy: 2-10 dni

Zasady płatności: T/T

Możliwość Supply: 10000 sztuk/miesiąc

Najlepszą cenę
Podkreślić:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

Aplikacja:
2,0–6,2 GHz
Typ:
Wzmacniacz mocy RF
Szereg:
ROCZNIE
Cechy:
Wysoka wydajność
Typ mocowania:
montaż bezpośredni
Opis:
Wysoka stabilność i szerokie możliwości przepustowości
Kod daty produkcji:
INNY
Nazwa produktu:
Wzmacniacz mocy
Moc wyjściowa:
100 W
Funkcjonować:
Wzmacniacz sygnału
Częstotliwość:
2,0–6,2 GHz
Aplikacja:
2,0–6,2 GHz
Typ:
Wzmacniacz mocy RF
Szereg:
ROCZNIE
Cechy:
Wysoka wydajność
Typ mocowania:
montaż bezpośredni
Opis:
Wysoka stabilność i szerokie możliwości przepustowości
Kod daty produkcji:
INNY
Nazwa produktu:
Wzmacniacz mocy
Moc wyjściowa:
100 W
Funkcjonować:
Wzmacniacz sygnału
Częstotliwość:
2,0–6,2 GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias