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High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Dettagli del prodotto

Luogo di origine: JIANGSU, CINA

Marca: INNOTION

Numero di modello: YPM206208100M

Termini di pagamento e spedizione

Quantità di ordine minimo: 1 pezzo

Prezzo: 619USD each

Imballaggi particolari: cartone

Tempi di consegna: 2-10 giorni

Termini di pagamento: T/T

Capacità di alimentazione: 10000 pezzi/mese

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100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

Applicazione:
2.0-6.2 GHz
Tipo:
amplificatore di potenza di rf
Serie:
PA
Caratteristiche:
Alta efficienza
Tipo di montaggio:
Montaggio diretto
Descrizione:
Alta stabilità e ampie capacità di banda
Codice della data di produzione:
altro
Nome del prodotto:
Amplificatore di potenza
Potenza in uscita:
100 W
Funzione:
Estensore di segnale
Frequenza:
2.0-6.2 GHz
Applicazione:
2.0-6.2 GHz
Tipo:
amplificatore di potenza di rf
Serie:
PA
Caratteristiche:
Alta efficienza
Tipo di montaggio:
Montaggio diretto
Descrizione:
Alta stabilità e ampie capacità di banda
Codice della data di produzione:
altro
Nome del prodotto:
Amplificatore di potenza
Potenza in uscita:
100 W
Funzione:
Estensore di segnale
Frequenza:
2.0-6.2 GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias