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High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
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High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Detalhes do produto

Lugar de origem: JIANGSU, CHINA

Marca: INNOTION

Número do modelo: YPM206208100M

Termos de pagamento e envio

Quantidade de ordem mínima: 1 peça

Preço: 619USD each

Detalhes da embalagem: caixa

Tempo de entrega: 2-10 dias

Termos de pagamento: T/T

Habilidade da fonte: 10.000 unidades/mês

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Detalhes do produto

Descrição do produto
Destacar:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

Aplicativo:
2.0-6.2 GHz
Tipo:
amplificador de potência do rf
Série:
PA
Características:
Alta eficiência
Tipo de montagem:
Montagem direta
Descrição:
Alta estabilidade e capacidades de largura de banda ampla
Código de data de fabricação:
outro
Nome do produto:
Amplificador de potência
Potência de saída:
100W
Função:
Extensor de sinal
Freqüência:
2.0-6.2 GHz
Aplicativo:
2.0-6.2 GHz
Tipo:
amplificador de potência do rf
Série:
PA
Características:
Alta eficiência
Tipo de montagem:
Montagem direta
Descrição:
Alta estabilidade e capacidades de largura de banda ampla
Código de data de fabricação:
outro
Nome do produto:
Amplificador de potência
Potência de saída:
100W
Função:
Extensor de sinal
Freqüência:
2.0-6.2 GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias

Tags:

Amplificador de sinal rf,

Reforçador Wi-Fi de alta potência,

Amplificador de rádio de estado sólido

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