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High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

製品詳細

起源の場所: 中国江蘇省

ブランド名: INNOTION

モデル番号: YPM206208100M

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最小注文数量: 1個

価格: 619USD each

パッケージの詳細: カートン

受渡し時間: 2-10日

支払条件: T/T

供給の能力: 10000個/月

お問い合わせ
ハイライト:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

応用:
2.0〜6.2GHz
タイプ:
rfの電力増幅器
シリーズ:
PA
特徴:
高効率
取付タイプ:
ダイレクトマウント
説明:
高い安定性と広い帯域幅の機能
製造日コード:
他の
製品名:
電力増幅器
出力電力:
100W
関数:
シグナルエクステンダー
頻度:
2.0〜6.2GHz
応用:
2.0〜6.2GHz
タイプ:
rfの電力増幅器
シリーズ:
PA
特徴:
高効率
取付タイプ:
ダイレクトマウント
説明:
高い安定性と広い帯域幅の機能
製造日コード:
他の
製品名:
電力増幅器
出力電力:
100W
関数:
シグナルエクステンダー
頻度:
2.0〜6.2GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias