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High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Détails du produit

Lieu d'origine: Jiangsu, Chine

Nom de marque: INNOTION

Numéro de modèle: Le montant de l'impôt sur le revenu est calculé à partir du montant de l'impôt sur le revenu.

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Mettre en évidence:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

Application:
20,0 à 6,2 GHz
Taper:
amplificateur de puissance de rf
Série:
Pennsylvanie
Caractéristiques:
Haute efficacité
Type de montage:
Montage direct
Description:
Haute stabilité et large bande passante
Code de date de fabrication:
autre
Nom du produit:
Amplificateur de puissance
Puissance de sortie:
100W
Fonction:
Prolongateur de signal
Fréquence:
20,0 à 6,2 GHz
Application:
20,0 à 6,2 GHz
Taper:
amplificateur de puissance de rf
Série:
Pennsylvanie
Caractéristiques:
Haute efficacité
Type de montage:
Montage direct
Description:
Haute stabilité et large bande passante
Code de date de fabrication:
autre
Nom du produit:
Amplificateur de puissance
Puissance de sortie:
100W
Fonction:
Prolongateur de signal
Fréquence:
20,0 à 6,2 GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias
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