logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Produk
Produk
Rumah > Produk > Penguat daya sinyal > High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Rincian produk

Tempat asal: JIANGSU, Tiongkok

Nama merek: INNOTION

Nomor model: YPM206208100M

Syarat Pembayaran & Pengiriman

Kuantitas min Order: 1 buah

Harga: 619USD each

Kemasan rincian: karton

Waktu pengiriman: 2-10 hari

Syarat-syarat pembayaran: T/T

Menyediakan kemampuan: 10000 buah/bulan

Dapatkan Harga Terbaik
Menyoroti:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

Aplikasi:
2.0-6.2GHz
Jenis:
Penguat daya RF
Seri:
PA
Fitur:
Efisiensi Tinggi
Tipe Pemasangan:
Pemasangan Langsung
Keterangan:
Stabilitas tinggi dan kemampuan bandwidth lebar
Kode Tanggal Pembuatan:
LAINNYA
Nama Produk:
Penguat Daya
Daya keluaran:
100W
Fungsi:
Pemanjang Sinyal
Frekuensi:
2.0-6.2GHz
Aplikasi:
2.0-6.2GHz
Jenis:
Penguat daya RF
Seri:
PA
Fitur:
Efisiensi Tinggi
Tipe Pemasangan:
Pemasangan Langsung
Keterangan:
Stabilitas tinggi dan kemampuan bandwidth lebar
Kode Tanggal Pembuatan:
LAINNYA
Nama Produk:
Penguat Daya
Daya keluaran:
100W
Fungsi:
Pemanjang Sinyal
Frekuensi:
2.0-6.2GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias