logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Productos
Productos
En casa > Productos > Amplificador de potencia de señal > High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Detalles del producto

Lugar de origen: JIANGSU, CHINA

Nombre de la marca: INNOTION

Número de modelo: Se trata de una medida de seguridad.

Condiciones de pago y envío

Cantidad de orden mínima: 1 pieza

Precio: 619USD each

Detalles de empaquetado: caja de cartón

Tiempo de entrega: 2-10 días

Condiciones de pago: T/T

Capacidad de la fuente: 10000 unidades/mes

Consiga el mejor precio
Resaltar:

100W GaN RF Power Amplifier

,

2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier

,

RF Amplifier Thermal Stability

Solicitud:
2.0-6.2 GHz
Tipo:
amplificador de potencia del rf
Serie:
Pensilvania
Características:
Alta eficiencia
Tipo de montaje:
Montaje directo
Descripción:
Alta estabilidad y amplias capacidades de banda ancha
Código de fecha de fabricación:
Otro
Nombre del producto:
Amplificador de potencia
Potencia de salida:
100W
Función:
Extensor de señal
Frecuencia:
2.0-6.2 GHz
Solicitud:
2.0-6.2 GHz
Tipo:
amplificador de potencia del rf
Serie:
Pensilvania
Características:
Alta eficiencia
Tipo de montaje:
Montaje directo
Descripción:
Alta estabilidad y amplias capacidades de banda ancha
Código de fecha de fabricación:
Otro
Nombre del producto:
Amplificador de potencia
Potencia de salida:
100W
Función:
Extensor de señal
Frecuencia:
2.0-6.2 GHz
High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias