Ürün

Evde > Ürün > Sinyal Gücü Güçlendirici > High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Kategoriler

Varaktor Diyot

(4)

İletişim

İletişim: Ms. Zhou

Tel: 86-512-67066119

Şimdi iletişime geçin

Bize e-posta gönderin.

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Name: High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability
Brand: Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
SKU: YPM206208100M
Price: 619 USD
Availability: InStock

Ürün Ayrıntıları

Menşe yeri: JIANGSU, ÇİN

Marka adı: INNOTION

Model numarası: YPM206208100M

Ödeme ve Nakliye Şartları

Min sipariş miktarı: 1 Adet

Fiyat: 619USD each

Ambalaj bilgileri: karton

Teslim süresi: 2-10 gün

Ödeme koşulları: T/T

Yetenek temini: 10000 adet/ay

En İyi Fiyatı Alın

Ürün Ayrıntıları

Ürün Tanımı

Vurgulamak: 
                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                                100W GaN RF Power Amplifier, 2.0-6.2GHz Signal Power Amplifier, RF Amplifier Thermal Stability
                              

Başvuru:	2,0-6,2 GHz	Tip:	RF güç amplifikatörü
Seri:	1656L	Özellikler:	Yüksek Verimlilik
Montaj Tipi:	Doğrudan montaj	Tanım:	Yüksek stabilite ve geniş bant genişliği yetenekleri
Üretim Tarihi Kodu:	Diğer	Ürün adı:	Güç Amplifikatörü
Çıkış gücü:	100W	İşlev:	Sinyal Genişletici
Sıklık:	2,0-6,2 GHz

Başvuru:	2,0-6,2 GHz
Tip:	RF güç amplifikatörü
Seri:	1656L
Özellikler:	Yüksek Verimlilik
Montaj Tipi:	Doğrudan montaj
Tanım:	Yüksek stabilite ve geniş bant genişliği yetenekleri
Üretim Tarihi Kodu:	Diğer
Ürün adı:	Güç Amplifikatörü
Çıkış gücü:	100W
İşlev:	Sinyal Genişletici
Sıklık:	2,0-6,2 GHz

High Efficiency 100W 2.0-6.2GHz GaN RF Power Amplifer with Excellent Thermal Stability

Product Overview The YPM206208100M is a 100-watt, internally 50Ω matched GaN HEMT power amplifier engineered for high efficiency, high stability, and wide bandwidth performance. It is an ideal solution for 2000 MHz to 6200 MHz continuous wave (CW) amplifier applications. Key Features Suitable for both linear and saturation applications Output power: Pout = 100 W (CW) Frequency range: 2.0–6.2 GHz Typical drain-source voltage (VDS): 28 V Negative gate voltage and bias

Tags: