logo
Zhongshi Zhihui Technology (suzhou) Co., Ltd.
Produkte
Produkte
Zu Hause > Produkte > Signalverstärker > Hocheffizienter 50Ω-angepasster GaN 28V 60W Leistungsverstärker für 4000-8000MHz Transistor

Hocheffizienter 50Ω-angepasster GaN 28V 60W Leistungsverstärker für 4000-8000MHz Transistor

Einzelheiten zum Produkt

Herkunftsort: Jiangsu, China

Markenname: SZHUASHI

Modellnummer: YPM40801860M

Zahlungs- und Versandbedingungen

Min Bestellmenge: 1 Stück

Preis: 329USD each

Verpackung Informationen: Karton

Lieferzeit: 2-7 Werktage

Zahlungsbedingungen: T/T

Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück/Monat

Erhalten Sie besten Preis
Hervorheben:

50Ω-angepasster GaN-Leistungsverstärker

,

28V 60W Signal-Leistungsverstärker

,

4000-8000MHz Transistor-Leistungsverstärker

Produktname:
HF-Verstärker
Leistung:
60W
Frequenzbereich:
4000-8000MHz
Stromversorgung:
28V
Lagertemperatur:
-65°C zu +150°C
Besonderheit:
Hohe Effizienz
Produktname:
HF-Verstärker
Leistung:
60W
Frequenzbereich:
4000-8000MHz
Stromversorgung:
28V
Lagertemperatur:
-65°C zu +150°C
Besonderheit:
Hohe Effizienz
Hocheffizienter 50Ω-angepasster GaN 28V 60W Leistungsverstärker für 4000-8000MHz Transistor
Hocheffizienter 50-Ohm-abgestimmter GaN 28V 60W Leistungsverstärker für 4000-8000MHz Transistor
Produktübersicht

Der YPM40801860M ist ein 60-Watt, 50-Ohm-abgestimmter Galliumnitrid (GaN) HEMT (High Electron Mobility Transistor), der speziell für hohe Effizienz, hohen Gewinn und breite Bandbreite entwickelt wurde. Dies macht den YPM40801860M ideal für verschiedene Anwendungen im Frequenzbereich von 4000 MHz bis 8000 MHz.

  • Hohe Effizienz und linearer Gewinnbetrieb
  • Negative Gate-Spannung und Bias-Sequenzierung erforderlich
  • Hervorragende thermische Stabilität und hervorragende Robustheit
  • Metallbasisgehäuse, versiegelt mit Keramik-Epoxid-Deckel
  • Gold-Metallisierungssystem: Chip-Drahtbond-Gehäuse
Technische Spezifikationen
Parameter Spezifikation
Frequenzbereich 4000-8000MHz
Durchschnittliche Ausgangsleistung 60W
Betriebsspannung 28V DC
Lagertemperatur -65°C bis +150°C
Produktbilder
YPM60800860M 60W GaN Power Amplifier Technical diagram of YPM60800860M Power Amplifier
Herstellerinformationen

Gegründet im Jahr 2010 und ansässig im Suzhou Industrial Park, sind wir der offizielle Hersteller dieser Produkte. Wir sind spezialisiert auf die Herstellung und den Verkauf unserer eigenen Produktlinien, einschließlich WLAN-Verstärkern, VCOs, Sweep-Signalquellen, drahtlosen Kartengruppen und anderen HF-Komponenten zu wettbewerbsfähigen Preisen.

Unser Team von Fachleuten beherrscht Kerntechnologien im Bereich der HF-Produkte und besitzt mehrere unabhängige Schutzrechte. Unsere Produkte wurden in zahlreichen Städten im Inland vertrieben und sind bei internationalen Kunden in Ländern wie Russland, den Vereinigten Staaten, Südkorea, Vietnam und Schweden beliebt.